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                IGBT单管
                IGBT单管

                产品状态

                封装

                集电极-发射√极电压VCES min.(V)

                集电极电流IC @ TC=80℃(A)

                饱和压降VCE(sat)typ.(V)

                开关能量损耗典型值★Eon+Eoff typ.Tj=125℃(mJ)

                最大结-壳热阻 Rth(j-c)max.(℃/W)

                型号 规格书 集电极-发射极电压VCES min.(V) 集电极电流IC @ TC=80℃(A) 饱和压降VCE(sat)typ.(V) 开关能量损耗典型值Eon+Eoff typ.Tj=125℃(mJ) 最大结-壳热阻 Rth(j-c)max.(℃/W) 封装 产品状态

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